BOM报价 服务热线 :0755-83212009
竟业电子 专业场效应管专家 首页 代理经销 产品型号 技术应用 新闻资讯 关于竟业 联系我们
原装正品 每一片都可追溯至原厂库存 坚持自营库存 创造品牌价值!

行业资讯

英飞凌OptiMOS™源-下载25伏PQFN 3.3x3.3毫米包中的功率MOS管

时间:2020/3/4阅读:60 关键词:MOS管

英飞凌通过应对现代电源管理设计的挑战,专注于系统创新和组件级增强。源头在于新的行业标准包装理念。在这个新的封装中推出的第一波功率MOSPQFN 3.3x3.3mm中的OptiMOS TM 25v

 

该电子元器件在MOS性能方面树立了一个新的行业基准,降低了状态电阻(R DSon))并为市场提供了优越的热管理能力。该产品非常适合广泛的应用,如驱动器、SMPS(包括服务器、电信和/ing)和电池管理。

 

新的封装概念将源电势(而不是漏电势)连接到热垫。除了启用新的PCB布局可能性,这有助于实现更高的功率密度和性能。

 

发布了两个不同的封装版本:PQFN 3.3x3.3mm封装中的源下标准门和源下中心门。源下位标准栅极封装基于当前的PQFN 3.3x3.3 mm引脚配置。

 

电气连接的位置保持不变,简化了用新的电源下降包替换当今标准的下降包的过程。对于中心栅极版本,栅极引脚移动到中心,以支持多个MOS的简单并行配置。

 

由于其较大的漏源爬电距离,可以在一个PCB层上连接多个器件的栅极。此外,将栅极连接移动到中心会导致更宽的源区,以改进设备的电气连接

 

这项技术革新使研发投入比现有技术大幅度减少30%。与目前的PQFN封装相比,结-壳之间的热阻(R-thJC)也有了显著的提高。减少寄生,提高印刷电路板的损耗,以及优越的热性能,增加了任何当代工程设计的重要价值。